Datasheet > ICTE-8

ICTE-8

更新时间： 2024-01-31 20:10:56

品牌	Logo	应用领域
MDE		二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ICTE-8 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.31
最小击穿电压：	9.4 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ICTE-8 数据手册

MDE Semiconductor, Inc.

78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414

1-800-831-4881 Email: sales@mdesemiconductor.com Web: www.mdesemiconductor.com

ICTE5.0 to ICTE15C MPTE-5 to MPTE-45

1N6373 to 1N6381 and 1N6382 to 1N6389

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V

1500 Watt Peak Power

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94 V-O

• Glass passivated chip junction in Molded Plastic package

• 1500W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Low zener inpedance

• Fast response time: typically less than

1.0 ps from 0 volts to BV min.

• Typical IR less than 1µA above 10V

• High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds/ .375", (9.5mm) lead

length, 5lbs., (2.3kg) tension

• Includes 1N6373 thru 1N6385

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-201 Molded plastic

Terminals: Plated Axial leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denoted positive end (cathode)

except Bipolar

Mounting Position: Any

Weight: 0.045 ounces, 1.2 grams

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

RATING

SYMBOL

VALUE

Minimum 1500

SEE TABLE 1

5.0

UNITS

Watts

Amps

Watts

Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25 °C, TP = 1ms

(NOTE 1)

P_PPM

I_PPM

Peak Pulse Current of on 10/1000 µs waveform (Note 1)

Steady State Power Dissipation at TL = 75°C

Lead lengths .375", 9.5mm (Note 2)

P_M(AV)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave

Superimposed on Rated Load, (JEDEC Method)(Note 3)

I_FSM

200

Amps

Maximum instantaneous forward voltage at 100A for

unidirectional only

V_F

3.5

Volt

°C

Operatings and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 +175

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above Ta=25 °C per Fig.2.

2. Mounted on Copper Pad area of 0.8x0.8" (20x20mm) per Fig.5.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle=4 pulses per minutes maximum.

Certified RoHS Compliant

UL File # E223026

下载PDF

与ICTE-8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ICTE-8/1	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS	获取价格
ICTE-8/100-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su	获取价格
ICTE-8/1-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppres	获取价格
ICTE-8/4	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS	获取价格
ICTE-8/4E	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su	获取价格
ICTE-8/4-E3	VISHAY	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppres	获取价格

与ICTE-8相关文章

?TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
2024-06-03

1
74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
2024-06-03

2
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
2024-06-03

2
高性能TDA7293音频功率放大器技术特性与应用分析
2024-06-03

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ICTE-8

ICTE-8 技术参数

ICTE-8 数据手册

与ICTE-8相关器件

与ICTE-8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ICTE-8

ICTE-8 技术参数

ICTE-8 数据手册

与ICTE-8相关器件

与ICTE-8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？