是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.400 INCH, SOJ-28 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | EDO PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IC41LV8512-60T | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41LV8512-60T | ISSI |
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EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28 | |
IC41LV8512-60TI | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41LV8512-60TI | ISSI |
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EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28 | |
IC41LV8513 | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode | |
IC41LV8513-35K | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode | |
IC41LV8513-35T | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode | |
IC41LV8513-50K | ICSI |
获取价格 |
512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode | |
IC41LV8513-50T | ICSI |
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512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode | |
IC41LV8513-60K | ICSI |
获取价格 |
512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode |