是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSOP44/50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.145 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IC41C16105S-60TI | ICSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE | |
IC41C16256 | ICSI |
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256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25K | ICSI |
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256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25KG | ICSI |
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256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25KI | ICSI |
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256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25KIG | ISSI |
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EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 | |
IC41C16256-25KIG | ICSI |
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256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25T | ICSI |
获取价格 |
256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25TG | ICSI |
获取价格 |
256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IC41C16256-25TG | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40 |