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IBM043616CBLBC-30

更新时间： 2024-02-18 09:46:23

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	315K
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DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, BGA-153

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IBM043616CBLBC-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50
针数：	153	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	1.7 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大待机电流：	0.2 A
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.64 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM043616CBLBC-30 数据手册

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IBM043616CBLBC

IBM041816CBLBC

16Mb (512K x 36 & 1M x 18) SRAM

Features

• 512K x 36 or 1M x 18 organization

• CMOS technology

• Registered addresses, controls, and data-ins

• Burst mode of operation

• Common I/O

• Double-data-rate and single-data-rate synchro-

nous mode of operation

• Asynchronous output enable

• Pipeline mode of operation

• Boundary scan using a limited set of JTAG

1149.1 functions

• Self-timed late write with full data coherency

• Single differential clock

• 9 x 17 bump ball grid array package with SRAM

JEDEC standard pinout and boundary SCAN

order

• 1.8V high-speed transceiver logic (HSTL) I/O

•

2.5V power supply, 1.8V V

DDQ

• Programmable impedance output driver

Description

The IBM043616CBLBC and IBM041816CBLBC

16Mb SRAMs are synchronous pipeline-mode, high-

performance CMOS static random-access memo-

ries that have wide I/O and achieve 2.2ns cycle

times. Single differential CK clocks are used to ini-

tialize the read/write operation, and all internal oper-

ations are self-timed. At the rising edge of the CK

clock, addresses and controls are registered inter-

nally. Data-outs are updated from output registers

on the next rising and falling edges of the CK clock,

hence the double data rate. Internal write buffers

allow write data to follow one cycle after addresses

and controls. The SRAM is operated with a single

2.5V power supply and is compatible with HSTL I/O

interfaces.

CBLBCds.fm.00

June 3, 2002

Page 1 of 25

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与IBM043616CBLBC-30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM043616CXLBC-27	IBM	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA153, BGA-153
IBM04361ARLAB-6F	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361ARLAB-6N	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361ARLAB-6S	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361AULAA-6F	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361AULAA-6N	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361AULAA-6P	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361BULAA-F5	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM04361BULAA-N6	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
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