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HZU6.8B2

更新时间： 2024-02-04 22:39:21

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日立 - HITACHI		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	52K
描述
Zener Diode, 6.79V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, URP, 2 PIN

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HZU6.8B2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	6.79 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	最大电压容差：	2.06%
工作测试电流：	5 mA

HZU6.8B2 数据手册

HZU Series

Zener Voltage

Reverese Current

Test

Dynamic Resistance

Test

Condition

V_Z(V) *¹

I_R(µA)

Max

Condition

r_d(Ω)

Max

130

Condition

I_Z(mA)

Type

Grade

Min

Max

4.48

4.21

4.34

4.48

4.90

4.61

4.75

4.90

5.37

5.04

5.20

5.37

5.92

5.55

5.73

5.92

6.53

6.12

6.33

6.53

7.14

6.73

6.93

7.14

7.84

7.36

7.60

7.84

8.64

8.10

8.36

8.64

I_Z(mA)

V_R(V)

HZU4.3

4.01

4.15

4.28

4.42

4.55

4.69

4.84

4.98

5.14

5.31

5.49

5.67

5.86

6.06

6.26

6.47

6.65

6.86

7.06

7.28

7.52

7.76

8.02

8.28

1.0

HZU4.7

HZU5.1

HZU5.6

HZU6.2

HZU6.8

HZU7.5

HZU8.2

1.0

1.5

2.5

3.0

3.5

4.0

5.0

130

Note: 1. Tested with pulse (Pw = 40ms).

Rev.6, Sep. 1998, page 3 of 9

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