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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-34 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.41 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-34 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 1 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZS9C3LTD-E | RENESAS |
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HZS9C3LTD-E |
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| HZS9C3RX | HITACHI |
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Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN |
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| HZS9C3TA-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZS9C3TD | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZS9C3TD-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZS9C3TDX | RENESAS |
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暂无描述 |
|
| HZS9L | EIC |
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ZENER DIODES |
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| HZS9L1 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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| HZS9L2 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
|
| HZS9L3 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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