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HZ11B3TD

更新时间: 2024-01-03 07:33:36
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日立 - HITACHI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

HZ11B3TD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

HZ11B3TD 数据手册

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