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HYM564104ATX-60

更新时间: 2024-01-31 02:29:48
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海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
EDO DRAM Module, 1MX64, CMOS, DIMM

HYM564104ATX-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:DIMM,针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDOJESD-30 代码:R-XDMA-N
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:1MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL

HYM564104ATX-60 数据手册

  

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