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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP28,.5 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.39 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.1496 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8.69 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62V256BLJ-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
|
| HY62V256BLLJ | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62V256BLLJ-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62V256BLLJ-10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
|
| HY62V256BLLJ-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
|
| HY62V256BLLJ-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
|
| HY62V256BLLJ-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
|
| HY62V256BLLJ-I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62V256BLLJ-I10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62V256BLLJ-I12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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