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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| 长度： | 18.39 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.794 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8.69 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62V256BLLJ-I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62V256BLLJ-I10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62V256BLLJ-I12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62V256BLLJ-I85 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62V256BLLP-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS |
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| HY62V256BLLR1 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
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| HY62V256BLLR1-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| HY62V256BLLR1-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| HY62V256BLLR1-12I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| HY62V256BLLR1-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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