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HY62V256BLLT1-I PDF预览

HY62V256BLLT1-I

更新时间： 2024-09-30 18:34:03
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 144K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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HY62V256BLLT1-I 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G28内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

HY62V256BLLT1-I 数据手册

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HY62V256B-(I)/HY62U256B-(I) Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62V256B-(I)/ HY62U256B-(I) is a high-  
speed, low power and 32,786 x 8-bits CMOS  
Static Random Access Memory fabricated using  
Hyundai's high performance CMOS process  
technology. It is suitable for use in low voltage  
operation and battery back-up application. This  
device has a data retention mode that guarantees  
data to remain valid at the minimum power supply  
voltage of 2.0 volt.  
·
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low power consumption  
Battery backup(LL-part)  
- 2.0V(min.) data retention  
·
Standard pin configuration  
- 28 pin 330mil SOP  
- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I  
(Standard and Reversed)  
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby  
Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
HY62V256B  
HY62V256B-I  
HY62U256B  
HY62U256B-I  
3.3  
3.3  
3.0  
3.0  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
2
2
2
2
20  
25  
15  
20  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
A14  
A12  
A7  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
/OE  
A11  
A9  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
Vss  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
A3  
A4  
A2  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
3
A1  
A6  
4
A5  
A0  
3
A5  
A9  
5
A8  
A6  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
/CS  
A10  
4
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A4  
6
A13  
/WE  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
A7  
5
A3  
7
A12  
A14  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
6
A2  
7
8
8
8
7
A1  
9
9
6
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
5
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
A6  
4
A5  
A9  
A11  
/OE  
3
A4  
A1  
2
1
A3  
A2  
SOP  
TSOP-I(Standard)  
TSOP-I(Reversed)  
PIN DESCRIPTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
Pin Name  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
/CS  
/WE  
MEMORY ARRAY  
512x512  
/OE  
Output Enable  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Power(+3.3V or 3.0V)  
Ground  
A0 ~ A14  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
A14  
I/O8  
/CS  
/OE  
/WE  
Vss  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Jan.99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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