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HY62UF16804A-DM55I

更新时间： 2024-09-30 21:16:07

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	137K
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Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62UF16804A-DM55I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8.5 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.95 mm
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.4 mm	Base Number Matches：	1

HY62UF16804A-DM55I 数据手册

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HY62UF16804A Series

512Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Initial Revision History Insert

Revised

Jul.02.2000

Preliminary

- Reliability Spec Deleted

Change AC Characteristics

Oct.23.2000 Preliminary

Nov.13.2000 Preliminary

- tBLZ : 5/5/5

---> 10/10/10

Part Number is changed

- HY62UF16803A --> HY62UF16804A

Marking Instruction is inserted

Dec.5.2000

Preliminary

Test Condition Changed

- I_LO/ I_SB/ I_SB1/ V_DR/ I_CCDR

Marking Istruction Inserted

Dec.16.2000 Preliminary

Change Logo

- Hyundai à Hynix

Apr.28.2001

Jan.28.2002

Change DC Parameter

- Isb1(LL) : 40uA à 25uA

- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA

- Icc

: 5mA à 4mA

- Icc1(1us) : 8mA à 4mA

- Icc1(Min) : 50mA à 40mA

Change Data Retention

- IccDR(LL) : 25uA à 15uA

Change AC Parameter

- tOE

: 35ns à 25ns@55ns

: 40ns à 35ns@70ns

- tCW

- tAW

- tBW

- tWP

- tCHZ

- tOHZ

- tBHZ

: 50ns à 45ns@55ns

: 45ns à 40ns@55ns

: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.10 /Jan2002

Hynix Semiconductor

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62UF16804A-DM70I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16804A-DM85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16804A-DMC	HYNIX	获取价格	512Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16804A-DMI	HYNIX	获取价格	512Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16804A-I	HYNIX	获取价格	512Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16804A-SM55C	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16804A-SM70C	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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