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HY62UF16806A-SM85C

更新时间: 2024-09-30 14:42:43
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 152K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62UF16806A-SM85C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:8.5 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.95 mm最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.4 mm
Base Number Matches:1

HY62UF16806A-SM85C 数据手册

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HY62UF16806A Series  
512Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
Initial Draft  
Feb.21.2001 Preliminary  
Apr.28.2001  
Change Logo  
- Hyundai à Hynix  
02  
Change DC Parameter  
Jan.28.2002  
- Isb1(LL) : 40uA à 25uA  
- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA  
- Icc  
: 5mA à 4mA  
- Icc1(1us) : 8mA à 4mA  
- Icc1(Min) : 50mA à 40mA  
Change Data Retention  
- IccDR(LL) : 25uA à 15uA  
Change AC Parameter  
- tOE  
: 35ns à 25ns@55ns  
: 40ns à 35ns@70ns  
- tCW  
- tAW  
- tBW  
- tWP  
- tCHZ  
- tOHZ  
- tBHZ  
: 50ns à 45ns@55ns  
: 50ns à 45ns@55ns  
: 50ns à 45ns@55ns  
: 45ns à 45ns@55ns  
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns  
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns  
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Jan. 2002  
Hynix Semiconductor  

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