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HY62UF16806A-SM70C

更新时间： 2024-10-01 06:21:31

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	152K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62UF16806A Series

512Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Initial Draft

Feb.21.2001 Preliminary

Apr.28.2001

Change Logo

- Hyundai à Hynix

Change DC Parameter

Jan.28.2002

- Isb1(LL) : 40uA à 25uA

- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA

- Icc

: 5mA à 4mA

- Icc1(1us) : 8mA à 4mA

- Icc1(Min) : 50mA à 40mA

Change Data Retention

- IccDR(LL) : 25uA à 15uA

Change AC Parameter

- tOE

: 35ns à 25ns@55ns

: 40ns à 35ns@70ns

- tCW

- tAW

- tBW

- tWP

- tCHZ

- tOHZ

- tBHZ

: 50ns à 45ns@55ns

: 45ns à 45ns@55ns

: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.02 /Jan. 2002

Hynix Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HY62UF16806A-SM85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16806A-SMC	HYNIX	获取价格	512Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16806A-SMI	HYNIX	获取价格	512Kx16bit full CMOS SRAM
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