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HY62U8200LLT1-70E

更新时间: 2024-09-28 20:41:03
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 77K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

HY62U8200LLT1-70E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY62U8200LLT1-70E 数据手册

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HY62U8200 Series  
256Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
256K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
Final  
10  
Revision History Insert  
Revised  
Jul.29.2000  
- Improved operating current  
Icc1 : 60mA -> 30mA  
11  
12  
Change the Notch Location of sTSOP  
- Left-Top => Left-Center  
Revised  
Sep.04.2000  
Dec.16.2000  
Final  
Final  
- VIH max : Vcc + 0.2V => Vcc + 0.3V  
- VIL min : - 0.2V => - 0.3V  
13  
Changed Logo  
Apr.30.2001  
Final  
-
HYUNDAI -> hynix  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility  
for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 13 / Apr. 2001  
Hynix Semiconductor  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32
HY62U8200LR1-85I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32