生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.8,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62U8200LLT1-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-E-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-E-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-I-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-I-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LLT1-I-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
HY62U8200LR1-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
HY62U8200LR1-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
HY62U8200LR1-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |