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HY62256AP-55

更新时间: 2024-02-22 03:04:36
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
x8 SRAM

HY62256AP-55 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:37 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

HY62256AP-55 数据手册

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HY62256A Series  
DC CHARACTERISTICS  
Vcc = 5V±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal) unless otherwise specified  
Symbol  
ILI  
ILO  
Parameter  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Test Condition  
Vss < VIN <.Vcc  
Vss < VOUT < Vcc, /CS = VIH or  
/OE = VIH or /WE = VIL  
/CS = VIL,  
VIN = VIH or VIL, II/O = 0mA  
/CS = VIL,  
Min. Duty Cycle = 100%, II/O = 0mA  
/CS= VIH VIN = VIH or VIL  
Min. Typ. Max. Unit  
-1  
-1  
-
-
1
1
uA  
uA  
Icc  
Operating Power Supply  
Current  
Average Operating Current  
-
-
-
30  
40  
50  
70  
2
mA  
mA  
mA  
ICC1  
ISB  
TTL Standby Current  
(TTL Inputs)  
0.4  
ISB1  
CMOS Standby Current  
(CMOS Inputs)  
/CS > Vcc - 0.2V  
-
-
-
-
2
1
-
1
100  
25  
0.4  
-
mA  
uA  
uA  
V
VIN < 0.2V or  
VIN > Vcc – 0.2V  
IOL = 2.1mA  
IOH = -1mA  
L
LL  
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
-
2.4  
-
V
Note : Typical values are at Vcc =5.0V, TA = 25°C  
AC CHARACTERISTICS  
Vcc = 5V±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal) unless otherwise specified.  
-55  
-70  
Max. Min  
-85  
#
Parameter  
Unit  
Symbol  
Min.  
Max. Min.  
Max.  
READ CYCLE  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
TRC  
TAA  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output in Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Deselection to Output in High Z  
55  
-
-
-
70  
-
-
-
85  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
55  
55  
30  
-
70  
70  
35  
-
85  
85  
45  
-
TACS  
TOE  
TCLZ  
TOLZ  
TCHZ  
-
-
-
5
5
0
0
5
5
5
0
0
5
5
5
0
0
5
-
-
-
20  
20  
-
30  
30  
-
30  
30  
-
TOHZ Out Disable to Output in High Z  
TOH  
Output Hold from Address Change  
WRITE CYCLE  
10 TWC  
11 TCW  
12 TAW  
13 TAS  
14 TWP  
15 TWR  
Write Cycle Time  
55  
50  
50  
0
40  
0
0
25  
0
-
-
-
-
-
-
20  
-
-
-
70  
65  
65  
0
50  
0
0
35  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
-
85  
75  
75  
0
55  
0
0
40  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Selection to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
Write Recovery Time  
16 TWHZ Write to Output in High Z  
17 TDW  
18 TDH  
19 TOW  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Active from End of Write  
5
5
5
Rev.02 /Jun.99  
3

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY62256AP-55I HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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HY62256AP-70 ETC x8 SRAM

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HY62256AP-70I HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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HY62256AP-85 ETC x8 SRAM

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