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HY62256ALR1-55

更新时间: 2024-02-29 06:39:40
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
x8 SRAM

HY62256ALR1-55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:55 ns
其他特性:BATTERY BACKUPI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62256ALR1-55 数据手册

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HY62256A Series  
Data Retention Timing Diagram  
DATA RETENTION MODE  
VCC  
4.5V  
tCDR  
tR  
2.2V  
VDR  
CS>VCC-0.2V  
CS  
VSS  
RELIABILITY SPEC.  
TEST MODE  
TEST SPEC.  
ESD  
HBM  
MM  
>2000V  
> 250V  
LATCH - UP  
< -100mA  
> 100mA  
PACKAGE INFORMATION  
28pin 600mil Dual In-Line Package(P)  
MAX.  
UNIT : INCH(mm)  
MIN.  
1.467(37.262)  
1.447(36.754)  
0.600(15.240)BSC  
0.065(1.650)  
0.050(1.270)  
0.090(2.286)  
0.070(1.778)  
0.550(13.970)  
0.530(13.462)  
0.155(3.937)  
0.145(3.683)  
0.035(0.889)  
0.020(0.508)  
0.140(3.556)  
0.120(3.048)  
3 deg  
11 deg  
0.014(0.356)  
0.008(0.200)  
0.021(0.533)  
0.015(0.381)  
0.100(2.54)BSC  
Rev.02 /Jun.99  
7

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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