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HY62256ALR1-55

更新时间: 2024-01-13 13:25:47
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
x8 SRAM

HY62256ALR1-55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:55 ns
其他特性:BATTERY BACKUPI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62256ALR1-55 数据手册

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HY62256A Series  
AC TEST CONDITIONS  
TA = 0°C to 70°C (Normal) unless otherwise specified.  
PARAMETER  
Input Pulse Level  
VALUE  
0.8V to 2.4V  
Input Rise and Fall Time  
5ns  
Input and Output Timing Reference Levels  
1.5V  
Output Load  
70/85/100ns  
55ns  
CL = 100pF + 1TTL Load  
CL = 50pF + 1TTL Load  
AC TEST LOADS  
TTL  
CL(1)  
Note : Including jig and scope capacitance  
CAPACITANCE  
TA = 25°C, f = 1.0MHz  
Symbol  
CIN  
CI/O  
Parameter  
Input Capacitance  
Input /Output Capacitance  
Condition  
VIN = 0V  
VI/O = 0V  
Max.  
6
8
Unit  
pF  
pF  
Note : These parameters are sampled and not 100% tested  
TIMING DIAGRAM  
READ CYCLE 1  
tRC  
ADDR  
tAA  
OE  
tOE  
tOH  
tOLZ  
CS  
tACS  
tCLZ  
tOHZ  
tCHZ  
High-Z  
Data  
Out  
Data Valid  
Rev.02 /Jun.99  
4

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