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HY5V56FFP-H

更新时间: 2024-01-07 18:41:46
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 575K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 10 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

HY5V56FFP-H 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
JESD-609代码:e1长度:10 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.1 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.17 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY5V56FFP-H 数据手册

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111  
Synchronous DRAM Memory 256Mbit  
HY5V56F(L)F(P) Series  
BALL CONFIGURATION  
3
8
2
1
9
7
A
B
C
D
5 4 B a ll  
F B G A  
E
F
0 .8 m m  
B a ll P itc h  
G
H
J
< B o tto m V ie w >  
1
2
3
7
8
9
VSS  
D Q 14  
D Q 12  
D Q 10  
D Q 8  
U D Q M  
A 12  
D Q 15  
D Q 13  
D Q 11  
D Q 9  
N C  
VSSQ  
VD D Q  
VSSQ  
VD D Q  
VSSQ  
VD D  
D Q 0  
D Q 2  
D Q 4  
D Q 6  
LD Q M  
/R A S  
B A 1  
A 1  
VD D  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
VD D Q  
VSSQ  
VD D Q  
VSS  
C KE  
A 9  
D Q 1  
D Q 3  
D Q 5  
D Q 7  
/W E  
/C S  
C LK  
A 11  
A 7  
/C A S  
B A 0  
A 8  
A 6  
A 0  
A 10  
VD D  
VSS  
A 5  
A 4  
A 3  
A 2  
< Top View >  
Rev 1.1 / Dec. 2007  
5

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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HY5V56FLF-6I HYNIX Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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