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HY5V56FFP-H

更新时间： 2024-01-25 05:25:58

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	575K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 10 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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HY5V56FFP-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V56FFP-H 数据手册

111

Synchronous DRAM Memory 256Mbit

HY5V56F(L)F(P) Series

Document Title

256Mbit (16M x16) Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Dec. 2005

Apr. 2006

Preliminary

Define :

Current value (Page 11 ~ 12)

0.2

Preliminary

1. Cerrect :

1-1. 4Banks x 2Mbits x32 --> 4Banks x 4Mbits x16(Ordering in-

formation; Page 05).

1-2. VDDQ / VSSQ : Power supply for output buffers (Page 07).

2. Remove :

Special Power consumption function of Auto TCSR(Temperature

Compensated Self Refresh) and PASR(Partial Array Self Refresh).

43. Specification change :

0.3

3-1. IOH / IOL (Page 10)

Jun. 2006

Preliminary

Before : -2 / 2mA --> After : -4 / 4mA.

3-2. tDH, tAH, tCKH, tCH (Page 12)

Before : 1.0ns --> After : 0.8ns.

4. Specitication change :

4-1. IDD6

Before : 1.5 / 0.8mA --> After : 2 / 1mA

4-2. IDD3N

Before :25mA --> After : 30mA

4-3. tCHW / tCLW Change [HY57V56(P)-6x]

Before :2.0ns --> After : 2.5ns

1.0

1.1

Final Ver.

Final

1. Correct :

Separate Normal power and Low power DC CHARACTERISTICS

(Page 10)

Dec. 2007

Rev 1.1 / Dec. 2007

123 4 5 6 7...47

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与HY5V56FFP-H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V56FFP-HI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5	获取价格
HY5V56FLF-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56FLFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 10 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5	获取价格
HY5V56FLFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5	获取价格
HY5V56FLFP-HI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5	获取价格
HY5V58BF	ETC	32Mx8\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M	获取价格

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