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HY5V56BF-P

更新时间: 2024-01-03 10:50:37
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 294K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V56BF-P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
长度:13.5 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.07 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY5V56BF-P 数据手册

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HY5V56B(L/S)F  
BALL CONFIGURATION  
9
8
2
7
3
1
A
B
C
D
E
F
54 Ball  
FBGA  
0.8 mm  
Ball Pitch  
G
H
J
< Bottom View >  
1
2
3
7
8
9
A
B
C
D
E
F
VSS  
DQ14  
DQ12  
DQ10  
DQ8  
DQ15  
DQ13  
DQ11  
DQ9  
NC  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSS  
CKE  
A9  
VDDQ  
DQ0  
VDD  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VDD  
/CAS  
BA0  
A0  
DQ2  
DQ4  
DQ6  
DQ1  
DQ3  
DQ5  
DQ7  
/WE  
/CS  
LDQM  
/RAS  
BA1  
A1  
UDQM  
A12  
CLK  
A11  
A7  
G
H
J
A8  
A6  
A10  
VDD  
VSS  
A5  
A4  
A3  
A2  
< Top View >  
Rev. 0.1/Oct. 02  
3

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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