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HY5V56BF-P

更新时间： 2024-01-16 11:47:57

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	294K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V56BF-P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.07 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V56BF-P 数据手册

HY5V56B(L/S)F

DC CHARACTERISTICS II ^{(TA= 0°C to 70°C, V}DD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

-H

-8

-P

-S

Burst length=1, One bank active

Operating Current

IDD1

120

110

tRC ≥ tRC(min), IOL=0mA

IDD2P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

Precharge Standby Current

in Power Down Mode

IDD2PS CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK = 15ns

IDD2N

Input signals are changed one time during

Precharge Standby Current

in Non Power Down Mode

30ns. All other balls ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD2NS

IDD3P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

Active Standby Current

in Power Down Mode

IDD3PS

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK = 15ns

Input signals are changed one time during

30ns. All other balls ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

IDD3N

Active Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD3NS

CL=3

130

140

220

130

140

200

110

120

200

110

120

200

Burst Mode Operating

Current

tCK ≥ tCK(min), IOL=0mA

All banks active

CL=2

IDD4

IDD5

Auto Refresh Current

tRRC ≥ tRRC(min), All banks active

Normal

Self Refresh Current

IDD6

CKE ≤ 0.2V

Low Power

SL Power

1.5

900

Note :

1.IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open

2.Min. of tRRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II

3.HY5V56BF-H/8/P/S

4.HY5V56BLF-H/8/P/S

5.HY5V56BSF-H/8/P/S

Rev. 0.1/Oct. 02

1...4 5 678 9 10...13

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与HY5V56BF-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V56BF-PI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-SI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BLF-8I	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BLF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BLF-I	ETC	16Mx16\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M	获取价格

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