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HY5V56BF-I

更新时间： 2024-01-08 06:35:01

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其他 - ETC		动态存储器
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12页	288K
描述
16Mx16\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M

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HY5V56BF-I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V56BF-I 数据手册

HY5V56B(L/S)F-I

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Ambient Temperature

-40 ~ 85

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

°C

Storage Temperature

TSTG

°C

Voltage on Any ball relative to VSS

Voltage on VDD relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

IOS

Soldering Temperature Time

TSOLDER

260 10

°C Sec

Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability.

DC OPERATING CONDITION ^(TA=-40 to 85°C)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Note

Power Supply Voltage

Input High voltage

Input Low voltage

VDD, VDDQ

VIH

3.0

2.0

3.3

3.0

3.6

VDDQ + 0.3

0.8

1,2

1,3

VIL

-0.3

Note :

1.All voltages are referenced to VSS = 0V

2.VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.

3.VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.

AC OPERATING TEST CONDITION ^(TA=-40 to 85°C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

AC Input High / Low Level Voltage

VIH / VIL

Vtrip

2.4/0.4

1.4

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

1.4

Note :

1.Output load to measure access times is equivalent to two TTL gates and one capacitor (50pF). For details, refer to AC/DC output

load circuit

Rev. 0.1/Sep. 02

1 2 3 456 7 8...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V56BF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-PI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BF-SI	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V56BLF-8I	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
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