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HY5V52ALFP-HI

更新时间： 2024-01-11 05:19:43

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	677K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90

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技术参数
数据手册

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HY5V52ALFP-HI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA90,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	端子数量：	90
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

HY5V52ALFP-HI 数据手册

111

Synchronous DRAM Memory 256Mbit

HY5V52A(L)F(P)-xxI Series

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

2Mbit x 4banks x 32 I/O Mobile Synchronous DRAM

Self refresh

logic & timer

Internal Row

Counter

2Mx32 Bank3

CLK

2Mx32 Bank2

Row

Row Active

CKE

Pre

Decoder

2Mx32 Bank1

2Mx32 Bank0

DQ0

RAS

Refresh

Memory

Cell

CAS

Array

Column Active

Column

Pre

Decoder

DQM0 ~

DQM3

DQ31

Y decoerders

Column Add

Counter

Bank Select

Address

Burst

Counter

Pipe Line

Control

A11

BA1

BA0

CAS Latency

Mode Register

Data Out Control

Rev 1.0 / Dec. 2007

1...4 5 678 9 10...47

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与HY5V52ALFP-HI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V52CF	ETC	8Mx32\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M	获取价格
HY5V52CF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V52CF-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V52CLF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V52ELM-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格
HY5V52ELM-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格