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HY5DU121622BTP

更新时间: 2024-02-15 05:10:49
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 396K
描述
512Mb DDR SDRAM

HY5DU121622BTP 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.82
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e6长度:22.225 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.02 A子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU121622BTP 数据手册

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