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HY5DU121622CLTP-D43

更新时间: 2024-01-17 14:59:32
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海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1623K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

HY5DU121622CLTP-D43 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.82
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY5DU121622CLTP-D43 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.5 / July 2006  
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