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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.79 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 22.238 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.194 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V641620HG | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V641620HG-I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V641620HGLT-5 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641620HGLT-55 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
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| HY57V641620HGLT-55I | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641620HGLT-5I | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V641620HGLT-6 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641620HGLT-6I | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641620HGLT-7 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641620HGLT-7I | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
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