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HY57V281620ELTP-6I PDF预览

HY57V281620ELTP-6I

更新时间： 2024-01-15 10:47:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 127K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54

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HY57V281620ELTP-6I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.83访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e6长度：22.238 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.194 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

HY57V281620ELTP-6I 数据手册

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Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit)  
HY57V281620E(L)T(P) Series  
DESCRIPTION  
The Hynix HY57V281620E(L)T(P) series is a 134,217,728bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the memory  
applications which require wide data I/O and high bandwidth. HY57V281620E(L)T(P) series is organized as 4banks of  
2,097,152 x 16.  
HY57V281620E(L)T(P) is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and  
outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve  
very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.  
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write  
cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(se-  
quential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or  
can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined design is not re-  
stricted by a '2N' rule)  
FEATURES  
•
•
•
•
Voltage: VDD, VDDQ 3.3V supply voltage  
All device pins are compatible with LVTTL interface  
54 Pin TSOPII (Lead or Lead Free Package)  
•
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•
Auto refresh and self refresh  
4096 Refresh cycles / 64ms  
Programmable Burst Length and Burst Type  
- 1, 2, 4, 8 or full page for Sequential Burst  
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst  
Programmable CAS Latency; 2, 3 Clocks  
Burst Read Single Write operation  
All inputs and outputs referenced to positive edge of  
system clock  
•
•
Data mask function by UDQM, LDQM  
Internal four banks operation  
•
•
ORDERING INFORMATION  
Part No.  
Clock Frequency  
Organization  
Interface  
Package  
HY57V281620E(L)T(P)-5  
HY57V281620E(L)T(P)-6  
HY57V281620E(L)T(P)-7  
HY57V281620E(L)T(P)-H  
200MHz  
166MHz  
143MHz  
133MHz  
4Banks x 2Mbits x16  
LVTTL  
54 Pin TSOPII  
Note:  
1. HY57V281620ET Series: Normal power, Leaded.  
2. HY57V281620ELT Series: Low power, Leaded.  
3. HY57V281620ETP Series: Normal power, Lead Free.  
4. HY57V281620ELTP Series: Low power, Lead Free.  
Rev. 1.1 / Jan. 2005  
2
1234567...13

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与HY57V281620ELTP-6I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY57V281620ELTP-7 HYNIX 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O

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HY57V281620ELTP-7I HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

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HY57V281620ELTP-H HYNIX 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O

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HY57V281620ELTP-HI HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

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HY57V281620EST-5 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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HY57V281620EST-6 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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