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HY29F002BP-55I

更新时间： 2024-02-12 21:04:24

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45页	1066K
描述
x8 Flash EEPROM

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HY29F002BP-55I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	42.164 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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