是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,3 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY29F002BT-70 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002BT-70E | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002BT-70I | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002BT-90 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002BT-90E | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, TSOP-32 |
![]() |
HY29F002BT-90I | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002SERIES | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002T | HYNIX |
获取价格 |
2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
![]() |
HY29F002TC-12 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
HY29F002TC-12E | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |