是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,3 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY29F002BR-12I | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-45 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-45E | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-45I | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-55 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-55E | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-55I | HYNIX |
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Flash, 256KX8, 55ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32 | |
HY29F002BR-70 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-70E | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
HY29F002BR-70I | ETC |
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x8 Flash EEPROM |