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HY18CV8S-35

更新时间： 2024-02-09 04:56:22

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HY18CV8S-35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP20,.3
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.89
其他特性：	8 MACROCELLS; SHARED INPUT/CLOCK; SYNCHRONOUS PRESET; ASYNCHRONOUS RESET	架构：	PAL-TYPE
最大时钟频率：	20 MHz	JESD-30 代码：	R-PDIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	26.238 mm
专用输入次数：	9	I/O 线路数量：	8
输入次数：	18	输出次数：	8
产品条款数：	74	端子数量：	20
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	9 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	输出函数：	MACROCELL
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP20,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	可编程逻辑类型：	EE PLD
传播延迟：	35 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.318 mm	子类别：	Programmable Logic Devices
最大供电电压：	5.25 V	最小供电电压：	4.75 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY18N20D	HY	获取价格	200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY18N20T	HY	获取价格	200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY18N50W	HY	获取价格	500V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HY19000000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY19003000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY19004000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY19006000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY19008000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY19009000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
HY1904B	HUAYI	获取价格	N-Channel Enhancement Mode MOSFET