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HX6856/2WSHZT

更新时间: 2024-02-18 12:29:42
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霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 463K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36

HX6856/2WSHZT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:25 ns其他特性:RADIATION-HARDENED SRAM
JESD-30 代码:R-CDFP-F36长度:16.51 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:36
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.191 mm
最小待机电流:2.5 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
宽度:16.002 mmBase Number Matches:1

HX6856/2WSHZT 数据手册

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