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HVM100

更新时间: 2024-02-08 17:13:32
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其他 - ETC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 21K
描述

HVM100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:15 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:16二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HVM100 数据手册

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HVM100  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
ADE-208-470 (Z)  
Rev 0  
September 1996  
Features  
High capacitance ratio. (n =16.0 min)  
High figure of merit. (Q =200 min)  
To be usable at low voltagee.  
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HVM100  
T12  
MPAK  
Outline  
3
1
2
(Top View)  
1 Anode  
2 NC  
3 Cathode  

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