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HVM131SR

更新时间： 2024-01-28 14:11:56

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HVM131SR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	60 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.8 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	1 Ω	二极管电阻测试电流：	10 mA
二极管电阻测试频率：	100 MHz	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	反向测试电压：	60 V
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HVM131SR 数据手册

ADE-208-380A(Z)

HVM131SR

Silicon Epitaxial Planar Pin Diode

for Antenna Switching

Rev. 1

Oct. 1995

Features

Outline

• Low capacitance.(C=0.8pF max)

• Low forward resistance. (r =1.0Ω max)

• MPAK package is suitable for high density

surface mounting and high speed assembly.

(Top View)

1 Anode 1

2 Cathode 2

3 Cathode 1

Anode 2

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HVM131SR

MPAK

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

VRM

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Forward current

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

* Two device total

V_R

I _F

100

°C

P *

150

125

-55 to +125

°C

stg

Electrical Characteristics (Ta = 25°C) *

Item

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

1.0

0.1

0.8

1.0

Unit

Test Condition

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

I = 10 mA

—

µA

Ω

= 60 V

—

= 1 V , f = 1 MHz

Forward resistance

* Per one device

—

I = 10 mA, f = 100 MHz

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HVM131SRTL	RENESAS	获取价格	Pin Diode, 60V V(BR), Silicon
HVM131SRTR	RENESAS	获取价格	60V, SILICON, PIN DIODE
HVM132	ETC	获取价格
HVM132TL	RENESAS	获取价格	60V, SILICON, PIN DIODE
HVM132TR	RENESAS	获取价格	Pin Diode, 60V V(BR), Silicon
HVM132WK	ETC	获取价格
HVM132WKTL	RENESAS	获取价格	Pin Diode, 60V V(BR), Silicon
HVM132WKTR	RENESAS	获取价格	Pin Diode, 60V V(BR), Silicon
HVM14	LRC	获取价格	HIGH-VOLTAGE DIODES
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