5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.27 |
| 应用： | ATTENUATOR | 最小击穿电压： | 100 V |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 0.7 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 最大二极管正向电阻： | 10 Ω |
| 二极管类型： | PIN DIODE | 频带： | HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HVM12L | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 12000 V;Forward Current Io : 0.35 A;Max Surge Current : 50 A;Forward |
|
| HVM12L-B | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.35A, 12V V(RRM), |
|
| HVM-130C1-502 | NUVOTEM TALEMA |
获取价格 |
ISDN SO DIL Interface Modules |
|
| HVM131S | ETC |
获取价格 |
|
|
| HVM131SR | ETC |
获取价格 |
|
|
| HVM131SRTL | RENESAS |
获取价格 |
Pin Diode, 60V V(BR), Silicon |
|
| HVM131SRTR | RENESAS |
获取价格 |
60V, SILICON, PIN DIODE |
|
| HVM132 | ETC |
获取价格 |
|
|
| HVM132TL | RENESAS |
获取价格 |
60V, SILICON, PIN DIODE |
|
| HVM132TR | RENESAS |
获取价格 |
Pin Diode, 60V V(BR), Silicon |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
