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HVM11TR

更新时间: 2024-02-05 17:52:58
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日立 - HITACHI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
Variable Capacitance Diode, 35V, Silicon

HVM11TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:35 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:4二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HVM11TR 数据手册

  

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