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HVL358CKRF-E

更新时间: 2024-01-23 13:47:09
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
20.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ROHS COMPLIANT, EFP-2

HVL358CKRF-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TEFP-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76配置:SINGLE
二极管电容容差:3.47%最小二极管电容比:2.2
标称二极管电容:20.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HVL358CKRF-E 数据手册

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HVL358C  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0221-0200  
Rev.2.00  
Mar 10, 2006  
Features  
High capacitance ratio. (n = 2.20 min)  
Low series resistance. (rs = 0.40 max)  
Good C-V linearity  
Extremely small Flat Lead Package (EFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
Package Code  
HVL358C  
8
EFP  
PXSF0002ZA-A  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.2.00 Mar 10, 2006 page 1 of 4  

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