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HSD64M64F8KA

更新时间： 2022-12-18 01:05:04
品牌 Logo 应用领域
HANBIT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 137K
描述
Synchronous DRAM Module 512Mbyte (64Mx64bit), SMM, based on 32Mx8 ,4Banks, 4K Ref., 3.3V

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HSD64M64F8KA 数据手册

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HANBit  
HSD64M64F8KA  
Synchronous DRAM Module 512Mbyte (64Mx64bit), SMM, based on  
32Mx8 ,4Banks, 4K Ref., 3.3V  
Part No. HSD64M64F8KA  
GENERAL DESCRIPTION  
The HSD64M64F8KA is a 64M x 64 bit Synchronous Dynamic RAM high-density memory module. The module consists  
of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil packages on a 120-pin glass-epoxy.  
One 0.22uF and two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each SDRAM.  
The HSD64M64F8KA is a SMM(Stackable Memory Module type) .Synchronous design allows precise cycle control with  
the use of system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies,  
programmable latencies allows the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory  
system applications All module components may be powered from a single 3.3V DC power supply and all inputs and  
outputs are LVTTL-compatible.  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
• Part Identification  
60-PIN P1 Connector  
PIN Symbol PIN Symbol PIN  
60-PIN P2 Connector  
HSD64M64F8KA – 10L : 100MHz (CL=3)  
HSD64M64F8KA – 10 : 100MHz (CL=2)  
HSD64M64F8KA – 13 : 133MHz (CL=3)  
• Burst mode operation  
Symbol  
PIN  
Symbol  
1
Vcc  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
Vcc  
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Vss  
DQ0  
DQ1  
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DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
Vss  
1
Vss  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
Vss  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
Vss  
DQM2  
DQM3  
NC  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A1  
A2  
A3  
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Vcc  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
Vcc  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
Vcc  
2
2
3
3
• Auto & self refresh capability (8192Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ±0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
- Latency (Access from column address)  
- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
- Data scramble (Sequential & Interleave)  
4
4
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6
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DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
Vcc  
DQM4  
DQM5  
NC  
CKE0  
CKE1  
Vcc  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
Vss  
DQM0  
DQM1  
/WE  
CLK0  
CLK1  
Vss  
• All inputs are sampled at the positive going  
edge of the system clock  
• The used device is stacked 8M x 8bit x 4Banks  
SDRAM  
DQM6  
DQM7  
A12  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
NC  
NC  
/CS1  
/CS2  
Vcc  
/CAS  
/RAS  
/CS1  
/CS2  
Vss  
Vss  
Vcc  
URL:www.hbe.co.kr  
1
HANBit Electronics Co.,Ltd.  
REV. 1.0 (August, 2002)  
1234567...10

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