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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 0.85 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HSD276AKRF-E | RENESAS | SILICON, MIXER DIODE, ROHS COMPLIANT, SFP-2 |
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| HSD278 | RENESAS | Silicon Schottky Barrier Diode for Detector |
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| HSD278 | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HSD-28-4.0 | INFINEON | AC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 112W |
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| HSD2M64B2 | HANBIT | Synchronous DRAM Module 16Mbyte (2Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V |
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| HSD2M64B2-10 | HANBIT | DRAM |
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