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HSB83

更新时间: 2024-01-02 22:08:19
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 二极管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
5页 26K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

HSB83 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-82
包装说明:SC-82, CMPAK-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.55
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.1 µs反向测试电压:300 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HSB83 数据手册

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HSB83  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
ADE-208-489A(Z)  
Rev 1  
Nov. 1999  
Features  
High reverse voltage. (VR=250V)  
CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSB83  
F7  
CMPAK  
Outline  
3
1
2
(Top View)  
1
2
3
NC  
Anode  
Cathode  

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