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HS12510R

更新时间: 2024-02-28 12:13:15
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 10V V(RRM), Silicon, HALF PACK-1

HS12510R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HALF PACK-1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.58应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.45 VJESD-30 代码:R-XUFM-X1
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:120 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HS12510R 数据手册

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