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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 52 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 52 A | 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 390 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HPLW110 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW112 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW116 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW118 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW14 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW16 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW18 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW210 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW212 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| HPLW216 | HAMMOND |
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Plinthe |
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