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HN58X2508IAG

更新时间： 2024-02-20 16:41:01
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 存储可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 597K
描述
Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory

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HN58X2508IAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：4.40 X 3 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.79最大时钟频率 (fCLK)：3 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.4 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
串行总线类型：SPI最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：8 ms
Base Number Matches：1

HN58X2508IAG 数据手册

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HN58X2508IAG Series, HN58X2516IAG Series  
(Ta = −40 to +85°C, VCC = 1.8 V to 5.5 V)  
Parameter  
Symbol  
fC  
Alt  
fSCK  
tCSS1  
tCSS2  
tCS  
Min  
Max  
Unit  
MHz  
ns  
Notes  
Clock frequency  
3
S active setup time  
S not active setup time  
S deselect time  
S active hold time  
S not active hold time  
Clock high time  
tSLCH  
tSHCH  
tSHSL  
tCHSH  
tCHSL  
tCH  
100  
100  
150  
100  
100  
150  
150  
1
ns  
ns  
tCSH  
tCLH  
tCLL  
tRC  
ns  
ns  
ns  
1
1
2
2
Clock low time  
tCL  
ns  
Clock rise time  
tCLCH  
tCHCL  
tDVCH  
tCHDX  
tHHCH  
tHLCH  
tCHHL  
tCHHH  
µs  
µs  
ns  
Clock fall time  
tFC  
30  
1
Data in setup time  
tDSU  
tDH  
Data in hold time  
50  
ns  
Clock low hold time after HOLD not active  
Clock low hold time after HOLD active  
Clock high setup time before HOLD active  
140  
90  
ns  
ns  
120  
120  
ns  
Clock high setup time before HOLD not  
ns  
active  
Output disable time  
Clock low to output valid  
Output hold time  
tSHQZ  
tCLQV  
tCLQX  
tQLQH  
tQHQL  
tHHQX  
tHLQZ  
tW  
tDIS  
tV  
0
200  
120  
100  
100  
100  
100  
8
ns  
ns  
2
tHO  
tRO  
tFO  
tLZ  
ns  
Output rise time  
106  
ns  
2
2
2
2
Output fall time  
ns  
HOLD high to output low-Z  
HOLD low to output high-Z  
Write time  
ns  
tHZ  
tWC  
ns  
ms  
cycles  
Erase / Write Endurance  
Notes: 1. tCH + tCL ≥ 1/fC  
3
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.  
3. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in products (Ta = 25°C).  
Rev.1.00, Nov.08.2006, page 6 of 20  
1...3456789...22

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