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HMT164U6AFP6C-S5N0

更新时间: 2024-02-11 01:50:44
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
56页 726K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, PDMA240

HMT164U6AFP6C-S5N0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM240,40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK):400 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N240内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:240字数:67108864 words
字数代码:64000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:64MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.5,3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192子类别:DRAMs
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HMT164U6AFP6C-S5N0 数据手册

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Preliminary  
240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs  
DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs  
Based on 1Gb A ver.  
HMT164U6AFP6C  
HMT112U6AFP8C  
HMT112U7AFP8C  
HMT125U6AFP8C  
HMT125U7AFP8C  
** Since DDR3 Specification has not been defined completely yet  
in JEDEC, this document may contain items under discussion.  
** Contents may be changed at any time without any notice.  
Rev. 0.01 / Nov 2007  
1

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