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HMT312S6BFR6C-H9

更新时间: 2024-01-28 19:02:46
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
54页 541K
描述
204pin DDR3 SDRAM SODIMM

HMT312S6BFR6C-H9 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DMA包装说明:DIMM, DIMM204,24
针数:204Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:20 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):667 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N204
JESD-609代码:e1长度:67.6 mm
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:204
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM204,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:3.8 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.12 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.68 mA最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:30 mmBase Number Matches:1

HMT312S6BFR6C-H9 数据手册

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204pin DDR3 SDRAM SODIMM  
DDR3 SDRAM  
Unbuffered SODIMMs  
Based on 2Gb B-die  
HMT312S6BFR6C  
HMT325S6BFR6C  
HMT325S6BFR8C  
HMT351S6BFR8C  
*Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 0.2 / Feb. 2010  
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DDR DRAM Module, 128MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240