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HMC755LP4E

更新时间： 2024-02-14 07:16:11

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
8页	938K
描述
1 Watt Power Amplifier SMT, 2.3 - 2.8 GHz

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HMC755LP4E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	SMA	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	28 dB
最大输入功率 (CW)：	5 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	24	最大工作频率：	2800 MHz
最小工作频率：	2300 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	600 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

HMC755LP4E 数据手册

HMC755LP4E

v05.0312

GaAs MMIC 1 WATT

POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz

Typical Applications

Thꢀ HmC755lp4e ꢁꢂ idꢀaꢄ ꢊꢆꢅ:

• Cellular/3G & LTE/4G

Features

Hꢁgh Gaꢁꢃ: 31 dB

Hꢁgh pAe: 28% @ +33 dBꢈ pꢆut

lꢆꢇ eVm: 2.5% @ +25 dBꢈ pꢆut

ꢇꢁth 54 mbꢉꢂ ofDm sꢁgꢃaꢄ

• WiMAX, WiBro & Fixed Wireless

• Military & SATCOM

Hꢁgh outꢉut ip3: +43 dBꢈ

• Test Equipment

iꢃtꢀgꢅatꢀd Dꢀtꢀctꢆꢅ & pꢆꢇꢀꢅ Cꢆꢃtꢅꢆꢄ

24 lꢀad 4x4ꢈꢈ Qfn packagꢀ: 16ꢈꢈ²

Functional Diagram

General Description

Thꢀ HmC755lp4e ꢁꢂ a hꢁgh gaꢁꢃ, hꢁgh ꢄꢁꢃꢀaꢅꢁty GaAꢂ

iꢃGap HBT mmiC pꢆꢇꢀꢅ aꢈꢉꢄꢁﬁꢀꢅ cꢆvꢀꢅꢁꢃg 2.3 tꢆ

2.8 GHz. Thꢀ aꢈꢉꢄꢁﬁꢀꢅ ꢉꢅꢆvꢁdꢀꢂ 31 dB ꢆꢊ gaꢁꢃ aꢃd

+33 dBꢈ ꢆꢊ ꢂatuꢅatꢀd ꢉꢆꢇꢀꢅ ꢊꢅꢆꢈ a ꢂꢁꢃgꢄꢀ +5V

ꢂuꢉꢉꢄy. Thꢀ ꢉꢆꢇꢀꢅ cꢆꢃtꢅꢆꢄ ꢉꢁꢃꢂ (Ven1, 2, 3) caꢃ bꢀ

uꢂꢀd tꢆ ꢅꢀducꢀ thꢀ rf ꢆutꢉut ꢉꢆꢇꢀꢅ/quꢁꢀꢂcꢀꢃt cuꢅ-

ꢅꢀꢃt, ꢆꢅ ꢊꢆꢅ ꢊuꢄꢄ ꢉꢆꢇꢀꢅ dꢆꢇꢃ ꢆꢊ thꢀ pA. Thꢀ ꢁꢃtꢀgꢅatꢀd

ꢆutꢉut ꢉꢆꢇꢀꢅ dꢀtꢀctꢆꢅ (VDeT) ꢁꢂ ꢁꢃtꢀꢅꢃaꢄꢄy cꢆuꢉꢄꢀd

aꢃd ꢅꢀquꢁꢅꢀꢂ ꢃꢆ ꢀxtꢀꢅꢃaꢄ cꢆꢈꢉꢆꢃꢀꢃtꢂ. fꢆꢅ +25 dBꢈ

ofDm ꢆutꢉut ꢉꢆꢇꢀꢅ (64 QAm, 54 mbꢉꢂ), thꢀ HmC-

755lp4e achꢁꢀvꢀꢂ aꢃ ꢀꢅꢅꢆꢅ vꢀctꢆꢅ ꢈagꢃꢁtudꢀ (eVm)

ꢆꢊ ꢆꢃꢄy 2.5% ꢈakꢁꢃg ꢁt ꢁdꢀaꢄ ꢊꢆꢅ wꢁmAX/lTe/4G Aꢉꢉꢄꢁ-

catꢁꢆꢃꢂ. Thꢀ aꢈꢉꢄꢁﬁꢀꢅ ꢁꢂ ꢉackagꢀd ꢁꢃ a cꢆꢈꢉact Qfn

smT ꢉackagꢀ aꢃd ꢅꢀquꢁꢅꢀꢂ a ꢈꢁꢃꢁꢈuꢈ ꢆꢊ ꢀxtꢀꢅꢃaꢄ

ꢈatchꢁꢃg cꢆꢈꢉꢆꢃꢀꢃtꢂ.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25 °C, Vcc1, 2, 3 = +5V, VEN1, 2, 3 = +5V, Vcs = +5V

paꢅaꢈꢀtꢀꢅ

mꢁꢃ.

Tyꢉ.

2.3 - 2.8

max.

Uꢃꢁtꢂ

GHz

fꢅꢀquꢀꢃcy raꢃgꢀ

Gaꢁꢃ

Gaꢁꢃ Vaꢅꢁatꢁꢆꢃ ovꢀꢅ Tꢀꢈꢉꢀꢅatuꢅꢀ

iꢃꢉut rꢀtuꢅꢃ lꢆꢂꢂ

outꢉut rꢀtuꢅꢃ lꢆꢂꢂ

0.05

dB/ °C

outꢉut pꢆꢇꢀꢅ ꢊꢆꢅ 1dB Cꢆꢈꢉꢅꢀꢂꢂꢁꢆꢃ (p1dB)

satuꢅatꢀd outꢉut pꢆꢇꢀꢅ (pꢂat)

dBꢈ

[1]

outꢉut Thꢁꢅd oꢅdꢀꢅ iꢃtꢀꢅcꢀꢉt (ip3)

eꢅꢅꢆꢅ Vꢀctꢆꢅ magꢃꢁtudꢀ @ 2.5 GHz

(54 mbꢉꢂ ofDm sꢁgꢃaꢄ @ +24.5 dBꢈ pꢆut)

2.5

suꢉꢉꢄy Cuꢅꢅꢀꢃt (icc1 + icc2 + icc3)

Cꢆꢃtꢅꢆꢄ Cuꢅꢅꢀꢃt (iꢀꢃ1 + iꢀꢃ2 + iꢀꢃ3)

Bꢁaꢂ Cuꢅꢅꢀꢃt (icꢂ)

400

480

600

ꢈA

[1] Tꢇꢆ-tꢆꢃꢀ ꢆutꢉut ꢉꢆꢇꢀꢅ ꢆꢊ +25 dBꢈ ꢉꢀꢅ tꢆꢃꢀ, 1 mHz ꢂꢉacꢁꢃg.

Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other

One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No

_{license is granted by implic}P_atih_ono_on_re_ot:_he9_rw7_is8_e-_u2_n5_de0_r-_a3_ny3_p4_at3_{ent or p}F_aa_tex_nt:_ri9_gh7_ts8_o-_f2_A5_na0_lo-_g3_D3_e7_vic3_es.Order On-line at www.hittite.com

Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

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与HMC755LP4E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC755LP4E_10	HITTITE	GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz	获取价格
HMC755LP4ETR	ADI	1 Watt Power Amplifier SMT, 2.3 - 2.8 GHz	获取价格
HMC756	HITTITE	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz	获取价格
HMC756_10	HITTITE	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz	获取价格
HMC757	HITTITE	GaAs pHEMT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz	获取价格
HMC757_10	HITTITE	GaAs pHEMT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz	获取价格

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