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HMC1086F10

更新时间: 2024-01-19 06:31:42
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
12页 537K
描述
Wide Band High Power Amplifier,

HMC1086F10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active针数:10
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.B.2.A.4
HTS代码:8542.31.00.01风险等级:2.2
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:21 dB最大输入功率 (CW):33 dBm
最大工作频率:6000 MHz最小工作频率:2000 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
射频/微波设备类型:WIDE BAND HIGH POWER最大电压驻波比:6
Base Number Matches:1

HMC1086F10 数据手册

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HMC1086F10  
v02.0214  
25 WATT GaN Flange Mount MMIC  
POWER AMPLIFIER, 2 - 6 GHz  
Pin Descriptions  
pꢀꢇ nuꢂbꢅꢆ  
fuꢇctꢀꢃꢇ  
Dꢅꢁcꢆꢀꢈtꢀꢃꢇ  
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1, 5  
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2, 4  
Vgg1  
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3
rfin  
Thꢀꢁ ꢈꢀꢇ ꢀꢁ DC cꢃuꢈꢉꢅd aꢇd ꢂatchꢅd tꢃ 50 ohꢂꢁ.  
6, 10  
Vdd1,2  
Dꢆaꢀꢇ bꢀaꢁ ꢊꢃꢆ fiꢆꢁt aꢇd ꢁꢅcꢃꢇd ꢁtagꢅ  
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rf/DC gꢆꢃuꢇd ꢅxtꢅꢆꢇaꢉꢉy.  
7, 9  
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8
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Thꢀꢁ ꢈad ꢀꢁ rf cꢃuꢈꢉꢅd aꢇd ꢂatchꢅd tꢃ 50 ohꢂꢁ.  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
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