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HM4-65767M-8

更新时间: 2024-02-28 08:51:38
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 435K
描述
x1 SRAM

HM4-65767M-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
Is Samacsys:N最长访问时间:40 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XQCC-N20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC20,.3X.43封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

HM4-65767M-8 数据手册

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