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HM0-65764N-5+

更新时间: 2024-02-23 13:30:25
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 718K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS,

HM0-65764N-5+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:COMMERCIALBase Number Matches:1

HM0-65764N-5+ 数据手册

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